پژوهشگران دانشگاه "ام.آی.تی"، روش جدیدی برای کنترل ساده‌تر نیروی مغناطیسی در ریزتراشه‌ها ارائه داده‌اند که به این ابزار آسیب فیزیکی وارد نمی‌کند.
به گزارش ایسنا و به نقل از ام.آی.تی نیوز، پژوهشگران، روش جدیدی برای کنترل مغناطیسم در ریزتراشه‌ها ابداع کرده‌اند که می تواند تحولی در زمینه حافظه، محاسبات و ابزار حسی به وجود آورد. همچنین، این روش می تواند بر محدودیت‌های فیزیکی که موجب کندی پیشرفت در این حوزه شده‌اند غلبه کند.
پژوهشگران دانشگاه "ام.آی.تی"(MIT) و "آزمایشگاه ملی بروکهیون"(BNL) آمریکا نشان داده‌اند که می توان ویژگی های مغناطیسی یک ماده باریک را با به کار بردن ولتاژ کمی کنترل کرد. تغییرات صورت گرفته در جهت‌گیری مغناطیسی، با این روش در حالت جدید خود باقی می مانند و برخلاف ریزتراشه‌های استاندارد کنونی، به انرژی مداوم نیازی ندارند.
این پژوهش نشان می دهد که می توان به جای یون‌های اکسیژن، از یون‌های هیدروژن استفاده کرد. از آنجا که می توان یون‌های هیدروژن را به سادگی فشرده کرد، سرعت این سیستم بالاتر است و مزایای قابل توجهی دارد.
از آنجا که یون‌های هیدروژن، بسیار کوچکتر هستند، می توانند به ساختار ابزار اسپینترونیک یا اسپین‌الکترونیک وارد و از آن خارج شوند و بدون آسیب زدن به ماده، جهت‌گیری مغناطیسی آن را تغییر دهند. در واقع، اکنون این گروه پژوهشی نشان داده است که این فرآیند هیچ آسیبی به ماده نمی رساند و برخلاف یون‌های اکسیژن، هیدروژن می تواند به سادگی از میان لایه‌های فلزی عبور کند و امکان کنترل ویژگی های لایه‌های ابزار را فراهم سازد.
آیک جون تن"(Aik Jun Tan)، استاد فارغ‌التحصیل دانشگاه ام.آی.تی و از پژوهشگران این پروژه گفت: با پمپاژ شدن هیدروژن در آهنربا، گردش نیروی مغناطیسی آغاز می‌شود. با به کار گرفتن ولتاژ، جهت نیروی مغناطیسی تا 90 درجه تغییر می کند. از آنجا که قطب‌های آهنربا برای ذخیره اطلاعات به کار می روند، نوشتن و پاک کردن اطلاعات ابزار اسپینترونیک با استفاده این روش، امکان‌پذیر می شود.
"جفری بیچ"(Geoffrey Beach)، استاد علوم مواد و مهندسی دانشگاه ام.آی.تی گفت: تلاش ما این است که آنالوگی مغناطیسی از یک ترانزیستور ارائه دهیم که فعال و غیرفعال کردن آن به صورت مداوم ممکن باشد و در عین حال، به ویژگی های فیزیکی ترانزیستور آسیب نزند.
یافته‌های این پژوهش، در مجله " Nature Materials" به چاپ رسید.